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資料:8件
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pn接合ダイオードの仕組みについて
- p型半導体とn型半導体を単結晶内で接合し、p型からn型に性質が移り変わる遷移部分をpn接合という。pn接合面付近では、お互いのキャリアである電子と正孔が静電気力で引き合い、または反発しあって電位差を生じている。 電圧が加えられていない熱平衡状態のpn接合では接合の部分を...
550 販売中 2005/08/01- 閲覧(10,873) コメント(1)
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ホイールストーンブリッジ
- １．実験の目的 ｗｈｅａｔｓｔｏｎｅ橋を使用して、金属と半導体の電気抵抗の温度依存を調べる。 ２．測定原理 金属の電気抵抗Ｒは、金属中の自由電子の状態によるもので、様々な要因で電子の移動が妨げられて、Ｒの値が決まる。金属のＸは温度によって変化し、温度のあまり...
- 550 販売中 2006/05/06
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ローム(株)と沖電気工業(株)の財務諸表分析
- 【目次】計22ページ １．企業の概要と沿革 (1) 企業の概要 (2) 企業の沿革 (3) 『企業の概要と沿革』の分析結果について ２． 成長性の分析 (1) 総資産 (2) 有形固定資産 (3) 投資その他資産 (４) 総負債 (5) 自己資本 (6) 売上高 (7) 売上原価 (8) 販売および一般管理費 (...
- 550 販売中 2009/06/15
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GaAsの極低温領域における負の膨張係数
- 通常いかなる物質でも温度を上げれば膨張することが考えられるが,これは物質の格子定数が温度上昇と共に増加するためである.しかしSiのような主要半導体では低温領域において膨張せずに,逆に収縮してしまう現象が知られている.今回我々は10〜293 の範囲においてSiの格子定数の負膨...
- 550 販売中 2005/07/01
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