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目的
　半導体デバイスの基本であるpn接合を用いたダイオードに関して，電気的・光電的基礎特性を測定し，測定結果の解析から，半導体材料やpn接合の不純物濃度分布などに起因した特性の違いを把握し，半導体デバイスの動作原理の理解を深める．
理論
pn接合
順方向電流-電圧(I-V)特性
　pn接合に順方向バイアス電圧Vを印加するとn側のバンドがeVだけ持ち上がり，n側の電子がp側へ，p側の正孔がn側へそれぞれ注入される．注入された少数キャリアは拡散し，拡散電流Idiffが流れる．同時に，空乏層内の格子欠陥，格子間または置換位置不純物原子などの再結合中心を介して生成・再結合電流Igrが流れる．したがって，理想的な場合，pn接合を流れる順方向電流Iは，
(1)
(2)
(3)
となる．ただし，Is：飽和電流，e：素電荷，V：バイアス電圧，kB：ボルツマン定数，　　　　　T：絶対温度，W：空乏層幅，ni：真性キャリア濃度，τ：空乏層でのキャリア寿命である．印加バイアス電圧Vが，kBT/e（室温：約25meV）の数倍以上の領域では，順方向電流Iは，一般的に
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と，表すことができる．ここで，n値...

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