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半導体微細化の危機
半導体の微細化について、主に半導体微細化の限界について調査した。
[1]http://aawbite.com/ITEC205/1240_Moores.htm
　　　　　
「半導体の集積密度は
18
～
24
ヶ月で倍増する」
　過去にも何度か技術的課題に突き当たりながらも、ムーアの
法則とよばれる半導体集積技術の経験則にほぼリニアに従いながら、半導体の微細化が現在まで進められてき
ている。しかし、物理学者のスティーブンホーキンズ氏が指摘するように、ムーアの法則は光の速度と原子レベ
ルの問題で壁に突き当たると考えられており、しかもそのムーアの壁が
10
数年後に迫っている。しかし、
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の
高性能化や低価格化の主役だった微細化技術が、ムーアの法則の壁の前に限界を迎えつつある。それは、次
にあげるようなものが原因となっており、大きくわと技術的なの経なものが原因となっている。
半導体の
問題
90nm
65nm
に微細化しても低コスト化がかしい。
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キャパシタの化が難しい
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半導体微細化の危機
半導体の微細化について、主に半導体微細化の限界について調査した。

[1]http://aawbite.com/ITEC205/1240_Moores.htm
「半導体の集積密度は 18～24 ヶ月で倍増する」 過去にも何度か技術的課題に突き当たりながらも、ムーアの
法則とよばれる半導体集積技術の経験則にほぼリニアに従いながら、半導体の微細化が現在まで進められてき
ている。しかし、物理学者のスティーブンホーキンズ氏が指摘するように、ムーアの法則は光の速度と原子レベ
ルの問題で壁に突き当たると考えられており、しかもそのムーアの壁が 10 数年後に迫っている。しかし、LSI の
高性能化や低価格化の主役だった微細化技術が、ムーアの法則の壁の前に限界を迎えつつある。それは、次
にあげるようなものが原因となっており、大きくわけると技術的な要因の他に経済的なものが原因となっている。
半導体の世代
90nm

問題
65nm 世代に微細化しても低コスト化がむずかしい。
大容量 DRAM の混載が難しい

65～45nm

キャパシタの小型化が難しい
配線遅延時間が長くなる

3...

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