資料紹介
実験計画書
OP-AMP及びMOSFETによるアナログ回路の製作
実験項目：
（１）OP-AMPの実験?（反転増幅回路、非反転増幅回路、反転加算回路）
（２）OP-AMPの実験?（コンパレータ回路、ヒステリシスコンパレータ回路）
（３）MOSFET（n-channel、p-channel）の静特性測定
（４）ソース接地MOSFET増幅回路の設計、製作、特性測定
（５）CMOSディジタルインバータ回路の特性測定
４．実験方法
４．１ OP-AMPの実験?
1)反転増幅回路
図１の回路を製作する。Voutの値を測定し、式（１）から求まる計算値と実測値を比較する。R1＝32.9[Ω]、R2＝99.1[Ω]とし、入力電圧はVin＝153[mV]とした。また周波数を上げて、電圧が1/ となるカットオフ周波数f3dBを求め、式（２）よりGB積を求める。
2)非反転増幅回路
図２の回路の回路を製作する。Voutの値を測定し、式（３）から求まる計算値と実測値を比較する。R1＝10.0[Ω]、R2＝98.8[Ω]とし、入力電圧はVin＝130[mV]とした。
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アナログ回路の製作
2004.11.26.
実験計画書
OP-AMP及びMOSFETによるアナログ回路の製作
実験項目：
（１）OP-AMPの実験Ⅰ（反転増幅回路、非反転増幅回路、反転加算回路）
（２）OP-AMPの実験Ⅱ（コンパレータ回路、ヒステリシスコンパレータ回路）
（３）MOSFET（n-channel、p-channel）の静特性測定
（４）ソース接地MOSFET増幅回路の設計、製作、特性測定
（５）CMOSディジタルインバータ回路の特性測定
実験計画：（略）
１．目的
●OP-AMPを用いて、反転／非反転増幅／反転加算回路、コンパレータ回路を製作する。
●MOSFETの静特性を測定し、それに基づいてソース接地増幅回路を製作する。
２．実験に使用した試料及び機材
表１：OP-AMPとMOSFET
No. 品名 メーカー 型番 規格 1 OP-AMP National Semiconductor LF356N GB積 5MHz 2 n-channel MOSFET HITACHI 2SK215 Idmax 500 mA 3 p-channel MOSFET HITACHI 2S...
